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韩国开发出新技术芯片工艺有望达到5纳米坐标镗床

2020-02-27 10:48:53

韩国开发出新技术 芯片工艺有望达到5纳米2005-9-4 9月4日消息,韩国一个科学家小组最近表示,他们开发出了一种新技术,为替代目前以硅为基础的半导体产品开辟了道路。 据法新社报道,该小组已表示成功制造出了所谓的“Mott Insulator”(莫特绝缘体),小组由电子与通信研究院(ETRI)的Kim Hyun-Tak牵头。新材料是以获得1977年诺贝尔物理奖的英国科学家Nevill Mott的名字命名的,尽管Mott insulators也属于金属,但它不能导电。然而,在高电压状态下,Mott insulators在相对较低的67摄氏度(华氏152.6度)下具有导电性能。 ETRI院长Lim Joo-Hwan表示,“硅物质导电发热的物理性质使得芯片上无法建立超薄集成电路,然而Mott metals却不会发热。” Kim Hyun-Tak表示,“20世纪在电子界风靡一时的半导体最终将给Mott insulators让路”。 他表示,Mott insulators材料可开创一下每年达1000亿美元销售额的全球市场,包括显示器与大量新设备都可放弃硅半导体而选择Mott insulators。 他表示,使用Mott金属绝缘体之后,芯片的工艺可能达到5纳米制程,而目前的半导体芯片的制程理论可达到40纳米,但当前市场上最领先的产品也使用90纳米制造工艺。三星电子公司去年展示了全球最为先进的闪存芯片技术,该芯片采用的是60纳米工艺。 专家们提示,60纳米很可能代表了硅元素半导体芯片的工艺极限。

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